記者吳順永／台南報導
由成大研發處、台積電－成大聯合研發中心主辦，台積電、國研院、國家奈米元件實驗室協辦，「3奈米元件技術與半導體應用研討會」2/23在成大光復校區國際會議廳舉行。
邀請到台積電副總暨技術長孫元成專題演講「半導體技術未來趨勢與機會」，吸引擠滿會場的師生。
成大校長蘇慧貞致詞勉勵，成大的人才有能力帶頭創新走在世界前面，而非只是跟著改變走，期待與台積電一起，看見各種可能。
台積電先進的3奈米製程新廠日前宣布落腳南科，早前已成立4年多的「台積電－成大聯合研發中心」在產學合作提升半導體製程研究及技術人才培育上扮演重要角色。
3奈米是指積體電路的線寬大小，線寬愈小，晶圓能產出的晶片數量也愈多。目前半導體製程技術已進展到10米，半導體業界估計未來10年內5至3奈米製程會出現。
台積電董事長張忠謀也曾預估，3奈米製程應會出現，2奈米則不確定，3奈米的應用將以雲端運算、人工智慧、5G處理器為主。
孫元成則強調，半導體需求永遠在，永遠沒辦法被滿足，未來世界人工智能將無所不在，這些裝置的背後就是半導體，從AR、VR、5G到自駕車的發展，都與半導體製程發展有關，AI許多智慧功能，現在才開始，都要靠半導體。
同時現在半導體製程已不是傳統摩爾定律，晶片堆疊的3D技術將可改變過去平面製程晶片擁擠的問題，並產生提高執行效率、縮小體積等優勢。
3D堆疊技術仍面臨著挑戰，材料是其中之一，以導體來說，銅是最好，但20奈米以下就不是最好，研究上銅已被其他材料超越。孫元成認為，半導體發展奈米級的材料很重要，因此化工、物理、材料等相關學科，未來發展很有機會參與到半導體領域。
孫元成說，3D堆疊技術讓摩爾定律柳暗花明，只是花了一些時間，抱持不怕困難，能做多少就是多少的積極態度，創新就會出現。所謂的「極限」是什麼，得跨出下一步才知道是不是極限，希望在座師生要敢於作夢，勇於嘗試。
台積電希望與成大未來有更多新技術的應用與合作，從成大到台灣都要走在世界的前面，而非只是追隨者。
清大電機工程學系教授暨微電子學門召集人張孟凡教授演講「3奈米元件技術的可能應用」，國家奈米元件實驗室葉文冠主任演講「國家奈米元件實驗室對3奈米元件技術的支援與合作」，國家奈米元件實驗室李耀仁博士演講「IEDM之前瞻元件趨勢」。
